La technologie des capteurs à effet Hall repose sur un phénomène physique fondamental et a ses racines dans une découverte réalisée il y a près d'un siècle et demi. Le 28 octobre [...]

Le transistor bipolaire à grille isolée, plus communément appelé IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), est un composant semi-conducteur de puissance relativement récent dont le brevet a été déposé aux États-Unis en 1982. [...]

Le transistor MOSFET, dont l'acronyme signifie Metal-Oxyde-Semiconductor Field-Effect Transistor (transistor à effet de champ métal-oxyde-semi-conducteur), est le composant le plus fondamental et le plus répandu de l'électronique moderne. Composant de base de tous [...]

Le transistor bipolaire à jonction, couramment désigné par son acronyme BJT (Bipolar Junction Transistor), est un dispositif électronique semi-conducteur fondamental. Il est constitué de trois couches de matériaux semi-conducteurs dopés, de deux jonctions [...]

Le thyristor est un composant semi-conducteur fondamental de l'électronique de puissance, conçu pour agir comme un interrupteur unidirectionnel contrôlable. Son nom dérive de la contraction de thyratron (un tube à vide avec [...]

Une diode électroluminescente, communément désignée par son acronyme anglais LED (Light-Emitting Diode), est un composant électronique semi-conducteur qui a la capacité d'émettre de la lumière lorsqu'il est traversé par un courant électrique. [...]